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申请/专利权人:长鑫存储技术有限公司
摘要:本发明实施例提供一种半导体结构的制备方法及半导体结构,半导体结构的制备方法包括:提供衬底,所述衬底包括阵列区域和外围区域,所述阵列区域具有有源区和第一隔离结构,所述外围区域具有第二隔离结构;在所述阵列区域内形成栅极结构,且在形成所述栅极结构的工艺步骤中,同时在所述外围区域的所述第二隔离结构内形成电阻结构。本发明实施例提供的半导体结构的制备方法能够简化电阻结构的生产工艺,减小电阻结构占用的空间,降低半导体结构的生产成本。
主权项:1.一种半导体结构的制备方法,其特征在于,包括:提供衬底,所述衬底包括阵列区域和外围区域,所述阵列区域具有有源区和第一隔离结构,所述外围区域具有第二隔离结构;在所述阵列区域内形成栅极结构,且在形成所述栅极结构的工艺步骤中,同时在所述外围区域的所述第二隔离结构内形成电阻结构;所述栅极结构位于所述阵列区域的所述有源区内和所述第一隔离结构内。
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百度查询: 长鑫存储技术有限公司 半导体结构的制备方法及半导体结构
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