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申请/专利权人：珠海镓未来科技有限公司
摘要：本申请实施例提供了一种半导体器件制作方法及半导体器件；本申请实施例在制作半导体器件时，在制作电介质层之后，可以在该电介质层上通过光刻形成多种宽度的光刻窗口，然后，通过干法刻蚀，在光刻窗口处形成深度不等的凹槽结构，再然后，通过对该电介质层进行湿法刻蚀，使得相邻的凹槽结构连通，进而形成多个深度不同的台阶结构，此后，便可以在这些台阶结构上制作金属场板等结构，以得到半导体器件；该方案可以大大降低工艺成本和时间，提高制作效率和器件的可靠性。
主权项：1.一种半导体器件制作方法，其特征在于，包括：设置衬底；在所述衬底上制作外延层，在所述外延层上制作栅介质层和第一电介质层；在所述外延层和所述第一电介质层上制作源极金属和漏极金属；在所述第一电介质层、源极金属和漏极金属上设置第二电介质层；在所述第二电介质层上设置光刻掩膜，所述光刻掩膜具有多种宽度的光刻窗口；对所述第二电介质层和所述第一电介质层进行干法刻蚀，使得在所述第二电介质层和所述第一电介质层的光刻窗口处形成对应的凹槽结构，所述凹槽结构的深度和宽度与对应光刻窗口的宽度正相关；对所述第一电介质层和所述第二电介质层进行湿法刻蚀，使得相邻的凹槽结构连通，进而形成多个深度不同的台阶结构；在所述台阶结构上制作金属层，以形成栅极金属和金属场板结构，得到半导体器件。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 珠海镓未来科技有限公司 半导体器件制作方法及半导体器件
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