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申请/专利权人：苏州奥谱毫通电子科技有限公司
摘要：本发明公开了一种III族氮化物晶体管的制备方法，包括如下步骤：1提供生长衬底；2在所述生长衬底上，形成包括III族氮化物的多层膜结构：所述多层膜结构包括生长在所述生长衬底上的牺牲层、生长在所述牺牲层上的器件层和生长在所述器件层上的载体层，所述器件层包括电子通道；3除去所述生长衬底；4蚀刻所述牺牲层，暴露器件层的表面；5形成晶体管，在器件层远离载体层的暴露的表面形成源极、栅极和漏极。还公开了一种栅极的形成方法，以及一种III族氮化物晶体管。与现有技术相比，本发明的优点在于：晶体管的源极、栅极和漏极形成在器件层远离载体层的一侧，晶体管的散热设计取决于载体层，载体层可以使用高热导率的氮化物，增加器件的可靠性。
主权项：1.一种III族氮化物晶体管的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：1提供生长衬底101；2在所述生长衬底101上，形成包括III族氮化物的多层膜结构：所述多层膜结构包括生长在所述生长衬底上的牺牲层102、生长在所述牺牲层102上的器件层103和生长在所述器件层103上的载体层104，在所述牺牲层102和所述器件层103界面附近，所述器件层103的表面包括AlxGa1-xN，并且0.5≤x≤1；所述器件层103包括电子通道，所述牺牲层102包括由生长衬底101向器件层103依次布置的无故意掺杂的GaN层、无故意掺杂的Al0.2Ga0.8N层、无故意掺杂的GaN层和无故意掺杂的Al0.2Ga0.8N层；3除去所述生长衬底101；4蚀刻所述牺牲层102，暴露器件层103的表面，在蚀刻所述牺牲层102时，使用Cl2等离子体蚀刻GaN层，当接近Al0.2Ga0.8N层时，换成Cl2+O2离子体蚀刻，当到达Al0.2Ga0.8N层时，再换成Cl2等离子体蚀刻；5形成晶体管，在器件层103远离载体层104的暴露的表面形成源极105、栅极107和漏极106。
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百度查询： 苏州奥谱毫通电子科技有限公司 一种III族氮化物晶体管的制备方法及晶体管
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