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申请/专利权人：东莞理工学院
摘要：本发明公开了一种原位制备氮化硅陶瓷的方法、制得的氮化硅陶瓷及其应用。本发明以纳米级SiO2粉、石墨粉作为原料，并添加酚醛树脂原位提供碳源，添加适量烧结助剂，采用粉末熔融挤出技术进行3D打印，在N2或Ar气的保护性气氛中脱脂，之后在N2或NH3气氛下在1400～1600℃进行气相烧结。克服了传统氮化硅成型困难等问题，省去了传统工艺模具制造的成本和时间，直接原位成型复杂形状的氮化硅陶瓷。本发明制得的氮化硅陶瓷的密度为2.8～3.0gcm3，弯曲强度为600～900MPa，断裂韧性为6～10MPa·m12，热导率为60～90Wm·K，可用于制备陶瓷基板。
主权项：1.一种原位制备氮化硅陶瓷的方法，其特征在于，包括如下步骤：S1：将纳米SiO2、石墨、酚醛树脂混合，密炼，造粒，得到SiO2-C喂料颗粒；S2：使用S1所制得的SiO2-C喂料颗粒进行粉末熔融挤出3D打印，得到SiO2-C生坯；S3：对S2所制得的SiO2-C生坯脱脂，在NH3气氛中气相烧结，即得所述原位制备的氮化硅陶瓷；S1所述酚醛树脂的质量百分比占纳米SiO2和石墨总质量的5%~10%；S3所述气相烧结的压力为2MPa~9.8MPa，所述气相烧结的温度为1400℃~1600℃。
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