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申请/专利权人：天合光能股份有限公司;天合光能(青海)晶硅有限公司
摘要：本申请涉及单晶硅加工技术领域，具体提供一种单晶硅的制备方法，旨在解决如何提高拉晶速率的问题。为此目的，本申请的单晶硅的制备方法包括：在单晶硅等径生长的第一阶段，控制坩埚和水冷屏上升，直到熔硅液面超过主加热器的上沿第一预设距离；在单晶硅等径生长的第二阶段，控制坩埚的上升速度，使熔硅液面与主加热器的上沿的距离保持所述第一预设距离。本申请通过在单晶硅的等径生长过程中降低熔硅液面附近的温度，不仅能够提高拉晶速率，提升单晶硅的生产效率，而且还能够降低晶体内的氧含量，从而提升单晶硅的质量。
主权项：1.一种单晶硅的制备方法，其特征在于，包括：在单晶硅等径生长的第一阶段，控制坩埚和水冷屏上升，直到熔硅液面超过主加热器的上沿第一预设距离；在单晶硅等径生长的第二阶段，控制坩埚的上升速度，使熔硅液面与主加热器的上沿的距离保持所述第一预设距离。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 天合光能股份有限公司 天合光能(青海)晶硅有限公司 单晶硅的制备方法
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