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申请/专利权人：日新电机株式会社
摘要：一种固定电荷控制方法及薄膜晶体管的制造方法，所述固定电荷控制方法，为对半导体元件中使用的绝缘层内的固定电荷进行控制的方法，所述方法中，在形成有所述绝缘层后，对所述绝缘层的表层部进行离子注入，在所述离子注入后的所述绝缘层的表面形成包含金属膜或绝缘膜的顶盖层，对在表面形成有所述顶盖层的所述绝缘层进行热处理，由此在所述绝缘层中显现出固定电荷。
主权项：1.一种固定电荷控制方法，为对半导体元件中使用的绝缘层内的固定电荷进行控制的方法，所述方法中，在形成有所述绝缘层后，对所述绝缘层的表层部进行离子注入，在所述离子注入后的所述绝缘层的表面形成包含金属膜或绝缘膜的顶盖层，对在表面形成有所述顶盖层的所述绝缘层进行热处理，由此在所述绝缘层中显现出固定电荷，其中，基于所述离子注入的离子的平均射程与其标准偏差的和小于所述绝缘层的厚度的一半。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 日新电机株式会社 固定电荷控制方法及薄膜晶体管的制造方法
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