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申请/专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
摘要：本发明公开了单原子层二维氮化物的制备方法，该方法在采用模板法生长二维氮化物的时候，避免长出层数较多的前体模板，而是通过控制PVT法中的气流量、反应升温曲线、源端和衬底的距离等因素，获得完美的单原子层厚度。此外尽量避免在整个氮化的过程中刻蚀现象严重，模板严重损坏难以得到平整低缺陷的单原子层氮化物。
主权项：1.一种单原子层二维氮化物的制备方法，其特征在于，包括：提供一反应装置，所述反应装置包括相连通的第一反应腔室和第二反应腔室；在第一反应腔室内放置III-VI族化合物蒸发源，在第二反应腔室内放置生长衬底；对蒸发源进行加热，将蒸发的III-VI族原子气体输运至生长衬底表面，在生长衬底表面形成单原子层模板，气体输运过程中的气体流量范围10sccm-50sccm，III-VI族原子在生长衬底表面生长的时间为5min-10min，所述蒸发源和生长衬底之间的距离控制在5cm～15cm范围内；将单原子层模板转移至等离子体发生装置中，通过N原子替换单原子层模板中非Ⅲ-Ⅴ族原子，形成单原子层二维氮化物，在所述等离子体发生装置中，同时通入H等离子体和N等离子体，通入N等离子体的流量大于H等离子体的流量，所述N等离子体的流量在1sccm-10sccm，所述H等离子体的流量在0.1sccm-1sccm，N原子和H原子的比例控制在10:1-20:1，当所述蒸发源为Ga金属和Ga2Se3时，Ga金属和Ga2Se3摩尔比例在1:10～1:100范围内，蒸发源进行加热条件满足：先以5-20℃min升温至350-450℃，维持5～10min，再以5-10℃min升温至650-750℃，维持5～10min，再以1-7℃min升温至800～920℃后维持5～10min；当所述蒸发源为GaS粉末时，对蒸发源进行加热满足条件：以0.1-1℃min的升温速率升至800～900℃后加热5min～10min。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 单原子层二维氮化物的制备方法
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