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申请/专利权人：南亚科技股份有限公司
摘要：本申请公开一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件包括一第一绝缘层，其向内设置于一基底中，并包括一U形横截面轮廓；一第一辅助层，其共形地设置于该第一绝缘层与该基底上；一导电结构，包括：一底部互连层，其设置于该第一辅助层上，一第一衬垫层，其共形地设置于该底部互连层和该第一辅助层上，和一顶部互连层，其设置于该第一衬垫层上；及一覆盖介电层，其设置于该基底上，并覆盖该第一辅助层与该导电结构。该第一绝缘层的一顶面位在低于该基底的一顶面的一垂直层级。该第一辅助层包括一第一阶梯部与一第二阶梯部，且该第一辅助层的第一阶梯部与该第一绝缘层的顶面相邻，该第一辅助层的第二阶梯部与该基底的顶面相邻。
主权项：1.一种半导体元件，包括：一基底；一第一绝缘层，其向内设置于该基底中，并且包括一U形横截面轮廓；一第一辅助层，其共形地设置于该第一绝缘层与该基底上；一导电结构，包括：一底部互连层，其设置于该第一辅助层上；一第一衬垫层，其共形地设置于该底部互连层和该第一辅助层上；以及一顶部互连层，其设置于该第一衬垫层上；及一覆盖介电层，其设置于该基底上，并覆盖该第一辅助层与该导电结构，其中该第一绝缘层的一顶面位在低于该基底的一顶面的一垂直层级，其中该第一辅助层包括一第一阶梯部与一第二阶梯部，且该第一辅助层的该第一阶梯部与该第一绝缘层的该顶面相邻，该第一辅助层的该第二阶梯部与该基底的该顶面相邻。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 南亚科技股份有限公司 具有辅助层的半导体元件及其制备方法
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