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申请/专利权人：苏州苏纳光电有限公司
摘要：本发明公开了一种沟槽电容结构及其制作方法，本发明的沟槽电容结构及沟槽电容结构的制作方法，通过第一绝缘层、第一电极以及第二绝缘层的设置，相当于并联了一个金属氧化物半导体电容器MOSCAP，由于低容值密度的MOSCAP拥有优秀的高频特性，能够极大程度提高整个电容的容值密度，同时使得整个电容拥有更宽的使用频段。
主权项：1.一种沟槽电容结构，其特征在于，包括具有间隔设置的扩散区的衬底，依次形成于所述衬底表面的第一导电层、第一介质层、第二导电层、第二介质层、第三导电层、第一绝缘层、第一电极以及第二绝缘层；其中，所述第二导电层在相邻扩散区之间的非扩散区域内通过所述第一电极与所述衬底相连通以形成第一电极层，所述第一导电层与所述第三导电层相连通以形成第二电极层；所述第一介质层与所述第二介质层相连通，所述第一介质层与所述扩散区相接触，所述第二介质层与所述第一绝缘层相接触，共同隔离所述第一电极层和所述第二电极层；所述第二绝缘层和所述第一绝缘层相连通以隔离所述第一电极和所述第二电极层；所述衬底背离所述扩散区的表面形成有第二电极；所述第二绝缘层的表面形成有连通所述第二电极层的第三电极。
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百度查询： 苏州苏纳光电有限公司 沟槽电容结构及沟槽电容结构的制作方法
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