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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
摘要：一种集成电路的布局设计制造方法包括产生集成电路布局设计及基于集成电路布局设计制造集成电路。产生集成电路布局设计包括：产生第一浅沟槽隔离区的图案及位于第一浅沟槽隔离区内的衬底穿孔区的图案；产生环绕第一浅沟槽隔离区的第二浅沟槽隔离区的图案，第二浅沟槽隔离区包括第一布局区及第二布局区，第二布局区通过第一布局区与第一浅沟槽隔离区分离，在第一布局区内界定一组虚设装置的第一有源区且在第二布局区内界定一组有源装置的第二有源区；以及在第一布局区中产生一组虚设装置的第一栅极的图案，第一有源区中的每一者在第一方向上具有实质上相同的尺寸。
主权项：1.一种集成电路的布局设计制造方法，包括：产生集成电路布局设计，包括：产生第一浅沟槽隔离区的图案及位于所述第一浅沟槽隔离区内的衬底穿孔区的图案；产生环绕所述第一浅沟槽隔离区的第二浅沟槽隔离区的图案，所述第二浅沟槽隔离区包括第一布局区及第二布局区，所述第二布局区通过所述第一布局区与所述第一浅沟槽隔离区分离，在所述第一布局区内界定一组虚设装置的第一有源区且在所述第二布局区内界定一组有源装置的第二有源区；在所述第一布局区中产生所述一组虚设装置的第一栅极的图案，所述第一有源区中的每一者在第一方向上具有实质上相同的尺寸；在所述第二布局区中产生所述一组有源装置的第二栅极的图案；以及基于所述集成电路布局设计制造集成电路。
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百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 集成电路的布局设计制造方法
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