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申请/专利权人：浙江陶特容器科技股份有限公司
摘要：本申请公开了一种基于离子注入机的离子束注入控制方法及装置，方法包括当检测到离子源射出第一离子束时，基于移动轨迹确定四极透镜的位置；根据位置依次校正波束扫描磁铁以及晶圆乘载盘，并控制离子源停止射出第一离子束；当检测到离子源射出第二离子束时，对第二离子束进行聚焦压缩处理，并将第二离子束射出至波束扫描磁铁；对第二离子束进行高频扫描处理，并将第二离子束射出至晶圆乘载盘。通过处理后的离子束可保障晶圆乘载盘在离子束的注入过程中避免持续移动，可有效减少保养与故障频率，以及有助于减少因移动所产生的外在污染；另一方面，还可基于处理后的离子束有效控制对晶圆表面积的再次注入过程，进而极大缩短离子束的输入时间。
主权项：1.一种基于离子注入机的离子束注入控制方法，其特征在于，所述方法应用于离子注入机，所述离子注入机包括依次设置的离子源、四极透镜、波束扫描磁铁以及晶圆乘载盘，所述方法包括：当检测到所述离子源射出第一离子束时，基于所述第一离子束的移动轨迹确定所述四极透镜的位置；根据所述四极透镜的位置依次校正所述波束扫描磁铁的位置以及所述晶圆乘载盘的位置，并控制所述离子源停止射出所述第一离子束；当检测到所述离子源射出第二离子束时，基于所述四极透镜对所述第二离子束进行聚焦压缩处理，并将处理后的所述第二离子束射出至所述波束扫描磁铁；其中，所述第一离子束的射出时间与所述第二离子束的射出时间之间的间隔长为预设时间间隔；基于所述波束扫描磁铁对所述第二离子束进行高频扫描处理，并将处理后的所述第二离子束射出至所述晶圆乘载盘的晶圆表面；其中，处理后的所述第二离子束的截面积大于或等于所述晶圆乘载盘的晶圆表面积。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 浙江陶特容器科技股份有限公司 一种基于离子注入机的离子束注入控制方法及装置
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