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申请/专利权人：浏阳泰科天润半导体技术有限公司
摘要：本实用新型提供一种增强耐压能力的碳化硅双槽栅LDMOS，包括：缓冲层下侧面连接至碳化硅衬底上侧面；体区上设有栅沟槽，所述体区下侧面连接至所述缓冲层上侧面，所述体区上设有源区；所述栅沟槽内设有氧化物层，所述氧化物层底部连接至所述缓冲层；超结区下侧面连接至所述缓冲层上侧面，所述超结区一侧面连接至所述体区一侧面以及源区一侧面，所述超结区上设有漏区；所述超结区上设有掺杂层；栅极设于氧化物层内；源极连接至源区；漏极连接至漏区，对超结LDMOS结构引入N柱的表面P掺杂层，降低N柱表面电势，在槽栅结构体内导电沟道的前提下，保持低导通电阻的同时提高器件击穿电压，增强器件的耐压能力。
主权项：1.一种增强耐压能力的碳化硅双槽栅LDMOS，其特征在于，包括：碳化硅衬底，缓冲层，所述缓冲层下侧面连接至所述碳化硅衬底上侧面；体区，所述体区上设有栅沟槽，所述体区下侧面连接至所述缓冲层上侧面，所述体区上设有源区；所述栅沟槽内设有氧化物层，所述氧化物层底部连接至所述缓冲层；超结区，所述超结区下侧面连接至所述缓冲层上侧面，所述超结区一侧面连接至所述体区一侧面以及源区一侧面，所述超结区上设有漏区；所述超结区上设有掺杂层；栅极，所述栅极设于所述氧化物层内；源极，所述源极连接至所述源区；以及，漏极，所述漏极连接至所述漏区。
全文数据：
权利要求：
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