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申请/专利权人：中国电子科技集团公司第十研究所
摘要：本发明公开了一种毫米波有源阵面高密度集成架构，包括承载结构件，所述承载结构件的上部放置有辐射单元模块，所述承载结构件的下部放置有有源电路模块，所述辐射单元模块和有源电路模块在上下方向上间隔放置，且所述辐射单元模块和有源电路模块之间通过射频连接器连接。将辐射单元模块和有源模块分离，采用射频连接器进行互连，通过在辐射单元混压印制板和有源电路混压印制板上设置额外的上互连接口转接印制板和下互连接口转接印制板，巧妙地将互连位置疏密交替阵列排列，给装配SIP器件提供空间，成功实现辐射单元单面装配SIP器件，系统印制板双面装配SIP器件，大地提高了有源阵面的集成度。
主权项：1.一种毫米波有源阵面高密度集成架构，其特征在于：包括承载结构件，所述承载结构件的上部放置有辐射单元模块1，所述承载结构件的下部放置有有源电路模块5，所述辐射单元模块1和有源电路模块5在上下方向上间隔放置，且所述辐射单元模块1和有源电路模块5之间通过射频连接器3连接。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国电子科技集团公司第十研究所 一种毫米波有源阵面高密度集成架构
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