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申请/专利权人：北京中科重仪半导体科技有限公司
摘要：本申请公开了一种Si衬底GaN外延片的制备方法，属于Si衬底GaN外延片生长技术领域，该方法包括：将Si衬底放入PVD设备内，并以预定烘烤温度对Si衬底进行烘烤；向PVD腔体通入Ar气，调整溅射功率使Al靶材启辉，并开始进行预溅射；对Si衬底溅射一层Al薄层，并在Al薄层上通入N2，以预定沉积压力沉积AlN层，得到非原位AlN形核层；以及将非原位AlN形核层放入MOCVD腔体内，依次生长缓冲层和功能层，得到GaN外延片。本申请通过利用相对简单的PVD生长方法生长非原位AlN形核层，并把这种非原位生长的AlN模板应用于MOCVD再生长，从而制备Si衬底GaN外延片，解决了通过MOCVD生长Si衬底GaN外延片关键层的回熔刻蚀问题，提高了MOCVD高资产设备的利用率有效改善了机台折损成本，还提高了产能。
主权项：1.一种Si衬底GaN外延片的制备方法，其特征在于，包括：将Si衬底放入PVD设备内，并以预定烘烤温度对所述Si衬底进行烘烤；向PVD腔体通入Ar气，调整溅射功率使Al靶材启辉，并开始进行预溅射；对所述Si衬底溅射一层Al薄层，并在所述Al薄层上通入N2，以预定沉积压力沉积AlN层，得到非原位AlN形核层；以及将所述非原位AlN形核层放入MOCVD腔体内，依次生长缓冲层和功能层，得到GaN外延片。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京中科重仪半导体科技有限公司 一种Si衬底GaN外延片的制备方法
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