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单次可编程存储器及电子装置 

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申请/专利权人:无锡华润上华科技有限公司

摘要:本发明涉及一种单次可编程存储器及电子装置,OTP存储器包括OTP单元,OTP单元包括:选择栅,沿第一方向延伸;第一有源区,选择栅的第一部分位于选择栅在第二方向上的一侧,第二部分位于选择栅在第二方向上的另一侧;浮栅;第二有源区,沿第一方向延伸,第二有源区位于各浮栅远离选择栅的一侧;第三有源区,与第二有源区和第一有源区直接接触,第三有源区的至少一部分位于第二有源区与浮栅之间;第二有源区的上方形成有位线接触孔,第二有源区通过位线接触孔引出作为公共位线,远离位线接触孔的交叠区的宽度较大、靠近位线接触孔的交叠区的宽度较小。本发明不同的存储单元的源漏端电压差的差异对编程后读操作时存储单元的电流大小影响较小。

主权项:1.一种单次可编程存储器,包括OTP单元,其特征在于,所述OTP单元包括:选择栅,沿第一方向延伸;与OTP单元中存储单元的数量相等的第一有源区,所述选择栅在第一有源区表面的正投影将第一有源区划分为两部分,第一部分位于所述选择栅在第二方向上的一侧,第二部分位于所述选择栅在第二方向上的另一侧;所述第一方向和所述第二方向垂直;浮栅,与所述第一有源区一一对应设置,所述第二部分位于对应的浮栅靠近所述选择栅的一侧;第二有源区,沿所述第一方向延伸,所述第二有源区位于各所述浮栅远离所述选择栅的一侧;第三有源区,与所述第一有源区一一对应设置,所述第三有源区与所述第二有源区及第一有源区直接接触,所述第三有源区的至少一部分位于所述第二有源区与所述浮栅之间;其中,所述第二有源区的上方形成有位线接触孔,所述位线接触孔的底部延伸至所述第二有源区,所述第二有源区通过所述位线接触孔引出作为公共位线,所述OTP单元中各第一有源区与选择栅的交叠区的宽度选择栅满足如下条件:远离所述位线接触孔的交叠区的宽度较大、靠近所述位线接触孔的交叠区的宽度较小;交叠区的宽度方向为所述第一方向。

全文数据:

权利要求:

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