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申请/专利权人：安徽光智科技有限公司
摘要：一种红外探测器伞状悬空结构脱落的改善方法包括步骤：S1，提供在完成第一层红外探测器结构的基础上经过聚酰亚胺涂布及热处理工艺的半导体晶圆；S2，光刻及刻蚀工艺完成聚酰亚胺层图形转移，光刻工艺采用AZ4620光刻胶，刻蚀工艺采用介质膜刻蚀机，刻蚀气体含四氟化碳和氧气；S3，湿法去胶工艺去刻蚀副产物及残留的光刻胶，浸泡用EKC830去胶液，剥离用EKC270去胶液，清洗依次用异丙醇及去离子水清洗、热氮气烘干；S4，通过介质膜沉积、光刻及刻蚀工艺完成伞状悬空结构图形转移；S5，湿法去胶工艺去光刻胶及刻蚀副产物，与步骤S3相同；S6，光刻及刻蚀工艺制作红外探测器测量单元PAD的图形，与步骤S2相同；S7，湿法去胶工艺去光刻胶及刻蚀副产物，与步骤S3相同。
主权项：1.一种红外探测器伞状悬空结构脱落的改善方法，包括步骤：S1，提供在完成第一层红外探测器结构的基础上经过聚酰亚胺涂布及热处理工艺的半导体晶圆；S2，晶圆通过光刻及刻蚀工艺完成聚酰亚胺层图形转移，光刻工艺采用AZ4620光刻胶，刻蚀工艺采用介质膜刻蚀机，刻蚀气体含四氟化碳和氧气；S3，晶圆通过湿法去胶工艺去除刻蚀工艺形成的刻蚀副产物及残留的光刻胶，湿法去胶工艺的浸泡工序采用EKC830去胶液，湿法去胶工艺的剥离工序采用EKC270去胶液，湿法去胶工艺的清洗工序依次使用异丙醇及去离子水进行清洗、使用热氮气将完成清洗的晶圆烘干；S4，晶圆通过介质膜沉积、光刻及刻蚀工艺完成伞状悬空结构图形转移；S5，通过湿法去胶工艺去除晶圆表面的光刻胶及刻蚀副产物，工艺参数与步骤S3相同；S6，通过光刻及刻蚀工艺制作红外探测器测量单元PAD的图形，工艺参数与步骤S2相同；S7，通过湿法去胶工艺去除晶圆表面的光刻胶及刻蚀副产物，工艺参数与步骤S3相同。
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