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申请/专利权人：西安电子科技大学
摘要：一种基于介电电泳法的单手性碳纳米管阵列薄膜、制备方法及其应用，制备方法包括：制备高纯度单手性碳纳米管溶液；制备电泳电极结构，电泳电极结构包括基底，基底上刻蚀有若干电泳电极，相邻电泳电极之间刻蚀有若干器件；将正弦电压源连接到电泳电极上，将高纯度单手性碳纳米管溶液滴加在电泳电极之间的缝隙里进行电泳，使单手性碳纳米管在器件的沟道中呈阵列排布；电泳结束后，清洗并干燥基底表面，得到分布于电泳电极结构器件沟道中的单手性碳纳米管阵列薄膜；制备的单手性碳纳米管阵列薄膜能够应用于电子、光电和能源领域，可制备射频器件、光电器件以及储能器件；本发明提高碳纳米管阵列薄膜的制备效率和可控性，具有原材料使用率高、操作简单的特点。
主权项：1.一种基于介电电泳法的单手性碳纳米管阵列薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1：将碳纳米管粉末原料、共轭聚合物和有机溶剂混合，利用聚合物包裹法筛选单手性碳纳米管，得到高纯度单手性碳纳米管溶液；步骤2，制备电泳电极结构：在基底1上利用光刻工艺制备电泳电极结构，所述电泳电极结构包括利用光刻工艺在基底1上刻蚀的若干电泳电极2，相邻电泳电极2之间刻蚀有若干器件3，所述器件3包括上表面中心处刻蚀的沟道4，沟道4的两侧分别并联排布有源电极5和漏电极6，源电极5和漏电极6分别与两侧的电泳电极2相连接；步骤3，将正弦电压源连接到步骤2制备的电泳电极2上，并将步骤1制备的高纯度单手性碳纳米管溶液滴加在电泳电极之间的缝隙里，调整正弦电压的峰值电压和频率，并控制电泳的加电时长，使单手性碳纳米管溶液中的单手性碳纳米管在器件3的沟道4中呈阵列排布；步骤4，电泳结束后，将步骤3残留的碳纳米管溶液驱离基底1表面，用丙醇清洗基底1表面，并在去离子水中冲洗后使基底1干燥，得到分布于沟道4中的单手性碳纳米管阵列薄膜。
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百度查询： 西安电子科技大学 一种基于介电电泳法的单手性碳纳米管阵列薄膜、制备方法及其应用
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