龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：合肥晶合集成电路股份有限公司
摘要：本发明公开了一种半导体器件的制作方法，属于半导体技术领域。所述制作方法包括：提供一衬底，包括第一区域和第二区域；在第一区域和第二区域之间形成浅沟槽隔离结构；在衬底上形成开口长边方向平行于半导体器件沟道宽度方向第一图案化光阻层，并暴露第一区域及两侧的部分浅沟槽隔离结构；对第一区域进行两次倾斜离子注入，形成第一沟道掺杂区；重新形成开口长边方向平行于半导体器件沟道宽度方向第二图案化光阻层，并暴露第二区域及部分浅沟槽隔离结构；对第二区域进行两次倾斜离子注入，形成第二沟道掺杂区；在沟道掺杂区上形成栅极；在栅极两侧形成轻掺杂区。通过本发明提供的半导体器件的制作方法，能够提高半导体器件的性能。
主权项：1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一衬底，所述衬底至少包括第一区域和第二区域；在所述第一区域和所述第二区域之间形成浅沟槽隔离结构；在所述衬底上形成第一图案化光阻层，所述第一图案化光阻层的开口长边方向平行于半导体器件沟道宽度方向，所述第一图案化光阻层暴露第一区域以及第一区域两侧的部分所述浅沟槽隔离结构；以所述第一图案化光阻层为掩膜，对所述第一区域进行两次倾斜离子注入，形成第一沟道掺杂区；去除所述第一图案化光阻层，在所述衬底上形成第二图案化光阻层，所述第二图案化光阻层的开口长边方向平行于半导体器件沟道宽度方向，所述第二图案化光阻层暴露第二区域以及第二区域两侧的部分所述浅沟槽隔离结构；以所述第二图案化光阻层为掩膜，对所述第二区域进行两次倾斜离子注入，形成第二沟道掺杂区；在所述第一沟道掺杂区和所述第二沟道掺杂区上形成栅极；以及在所述栅极两侧形成轻掺杂区。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 合肥晶合集成电路股份有限公司 一种半导体器件的制作方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号