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摘要：本实用新型提供了一种降低导通电阻的碳化硅LDMOS，包括：缓冲层下侧面连接至碳化硅衬底上侧面；体区上设有栅沟槽，体区下侧面连接至所述缓冲层上侧面，所述体区上设有源区；所述栅沟槽内设有氧化物层，所述氧化物层底部连接至所述缓冲层；超结区，所述超结区下侧面连接至所述缓冲层上侧面，所述超结区一侧面连接至所述体区一侧面以及源区一侧面，所述超结区上设有漏区；栅极，所述栅极设于所述氧化物层内；源极，所述源极连接至所述源区；以及，漏极，所述漏极连接至所述漏区，对超结LDMOS结构引入沟槽栅，导电沟道由表面转为体内，在通过超结结构保持高击穿电压的同时降低导通电阻，优化器件的导通特性。
主权项：1.一种降低导通电阻的碳化硅LDMOS，其特征在于，包括：碳化硅衬底，缓冲层，所述缓冲层下侧面连接至所述碳化硅衬底上侧面；体区，所述体区上设有栅沟槽，所述体区下侧面连接至所述缓冲层上侧面，所述体区上设有源区；所述栅沟槽内设有氧化物层，所述氧化物层底部连接至所述缓冲层；超结区，所述超结区下侧面连接至所述缓冲层上侧面，所述超结区一侧面连接至所述体区一侧面以及源区一侧面，所述超结区上设有漏区；栅极，所述栅极设于所述氧化物层内；源极，所述源极连接至所述源区；以及，漏极，所述漏极连接至所述漏区。
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百度查询： 浏阳泰科天润半导体技术有限公司 一种降低导通电阻的碳化硅LDMOS
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