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一种草状氧化铝膜及其制备方法与光学元件 

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申请/专利权人:光驰半导体技术(上海)有限公司

摘要:本发明提供了一种草状氧化铝膜及其制备方法与光学元件,所述制备方法包括:以具有设定温度的盐溶液来浸泡初始氧化铝膜,真空干燥后得到草状氧化铝膜。本发明提供的制备方法制备的草状氧化铝膜具有较高的带宽与较小的折射率,从而具有优秀的全向增透减反性能,从而满足光学行业的实际生产实践需要;所述制备方法还具有操作简单、对环境的要求较低且生产成本低的优点,适用于大规模推广使用。

主权项:1.一种草状氧化铝膜的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括:以具有设定温度的盐溶液来浸泡初始氧化铝膜,真空干燥后得到草状氧化铝膜。

全文数据:

权利要求:

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