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申请/专利权人：广东省科学院半导体研究所
摘要：本发明公开一种铌酸钠基储能陶瓷材料及其制备方法与应用，其中，该铌酸钠基储能陶瓷材料的通式为1‑x0.85NaNbO3‑0.15A0.1D0.85EG3‑xAM；A0.1D0.85EG3为固溶在NaNbO3中的线性电介质的通式；AM为能够提高所述材料的驰豫特性的弛豫剂的通式；其中，A为Bi元素；x的取值范围为0＜x≤0.16。由此，得到的NaNbO3基陶瓷在提升击穿场强的同时，也能保持较高的极化特性，从而实现在中场强下具有高储能密度。
主权项：1.铌酸钠基储能陶瓷材料，其特征在于，所述材料的通式为：1-x0.85NaNbO3-0.15A0.1D0.85EG3-xAM；A0.1D0.85EG3为固溶在NaNbO3中的线性电介质的通式；AM为能够提高所述材料的驰豫特性的弛豫剂的通式；其中，A为Bi元素；x的取值范围为0＜x≤0.16。
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