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申请/专利权人：应用材料公司
摘要：本文描述了用于热处理的处理腔室的方法和设备。处理腔室是双处理腔室，并且共用腔室主体。腔室主体包括第一组气体注入通道和第二组气体注入通道。腔室主体还可包括第一组排气口和第二组排气口。处理腔室可具有共用的气体面板和或共用的排气导管。本文描述的处理腔室能够以改进的处理气体流动和热分布同时处理多个基板。
主权项：1.一种用于基板处理的设备，包含：双腔室主体，其中所述双腔室主体包括：第一处理空间，所述第一处理空间在中心平面的第一侧上；第二处理空间，所述第二处理空间在所述中心平面的第二侧上；均衡口，所述均衡口连接所述第一处理空间和所述第二处理空间；第一多个气体注入通道，所述第一多个气体注入通道穿过所述双腔室主体的第一外侧壁的外表面而形成且与所述第一处理空间流体连通；第二多个气体注入通道，所述第二多个气体注入通道穿过所述双腔室主体的第二外侧壁的外表面而形成且与所述第二处理空间流体连通；第一排气口，所述第一排气口穿过所述双腔室主体的第三外侧壁的外表面而形成为与所述第一多个气体注入通道在所述第一处理空间两侧相对，所述第一排气口与所述第一处理空间流体连通，其中第一流动路径平面限定在所述第一多个气体注入通道与所述第一排气口之间；第二排气口，所述第二排气口穿过所述双腔室主体的第四外侧壁的外表面而形成为与所述第二多个气体注入通道在所述第二处理空间两侧相对，所述第二排气口与所述第二处理空间流体连通，其中第二流动路径平面限定在所述第二多个气体注入通道与所述第二排气口之间，并且其中所述第一流动路径平面和所述第二流动路径平面相对于延伸穿过所述第一处理空间和所述第二处理空间的纵向轴线成80度至100度的角度；一个或多个上窗组件，所述一个或多个上窗组件设置在所述双腔室主体之上；第一下窗，所述第一下窗定位为与所述第一处理空间相邻；第二下窗，所述第二下窗定位为与所述第二处理空间相邻；第一基板支座，所述第一基板支座定位在所述第一处理空间中；第二基板支座，所述第二基板支座定位在所述第二处理空间中；第一下灯组件，所述第一下灯组件定位为与所述第一下窗相邻；和第二下灯组件，所述第二下灯组件定位为与所述第二下窗相邻。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 应用材料公司 具有共用的气体输送和排气系统的多个热CVD腔室
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