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申请/专利权人：深圳市港祥辉电子有限公司
摘要：本发明公开了一种增强型横向沟槽栅氧化镓MOS器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，从下到上依次设置有Fe掺杂半绝缘衬底、非故意掺杂UID层以及Si掺杂轨道层；所述Si掺杂轨道层的两侧均设置有n+源区，n+源区的上方设置有源极金属和漏极金属；所述Si掺杂轨道层的底部设置有p型沟道控制区，所述p型沟道控制区的正上方设置有位于Si掺杂轨道层表面的栅极介质槽、绝缘介质以及栅极金属。通过采用横向沟槽栅结构，显著改善了栅极的控制能力，降低了器件的衬底漏电，提高了器件的电气稳定性和能效，在Si掺杂轨道层下方构建p型沟道控制区，进一步降低了由沟槽栅结构引起的导通电阻，增加了开态电流。
主权项：1.一种增强型横向沟槽栅氧化镓MOS器件，其特征在于，包括Fe掺杂半绝缘衬底，所述Fe掺杂半绝缘衬底位于该器件的最底端，所述Fe掺杂半绝缘衬底的上方设置有非故意掺杂UID层，所述非故意掺杂UID层的上方设置有Si掺杂轨道层；所述Si掺杂轨道层的两侧均设置有n+源区，位于Si掺杂轨道层其中一侧的n+源区的上方设置有源极金属，位于Si掺杂轨道层另一侧的n+源区的上方设置有漏极金属；所述Si掺杂轨道层的底部设置有p型沟道控制区，所述p型沟道控制区的正上方设置有位于Si掺杂轨道层表面的栅极介质槽，所述栅极介质槽的内表面以及Si掺杂轨道层的上表面上设置有绝缘介质，所述栅极介质槽的内部设置有栅极金属。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 深圳市港祥辉电子有限公司 一种增强型横向沟槽栅氧化镓MOS器件及其制备方法
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