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申请/专利权人：西安中车永电电气有限公司
摘要：本发明属于电子器件技术领域，涉及一种用于低杂散电感IGBT模块中芯片单元的基板及其布局结构。一种用于低杂散电感IGBT模块中芯片单元的基板，包括基板，所述基板上设置有第一金属片，所述第一金属片划分为芯片区及发射极焊接区，所述芯片区包括左右对称设置的第一芯片区和第二芯片区，所述发射极焊接区设置在第一芯片区最下方的第一芯片位和第二芯片区最下方的第二芯片位之间；解决了现有IGBT芯片单元控制回路中驱动栅极信号端子和辅助发射极端子与并联的4个IGBT功率芯片控制回路长度不同而导致芯片间开关不同步和电流不均衡的问题。
主权项：1.一种用于低杂散电感IGBT模块中芯片单元的基板，其特征在于，包括基板10，所述基板10的正面设置有第一金属片2，所述第一金属片2划分为芯片区2.1及发射极焊接区2.2，所述芯片区包括左右对称设置的第一芯片区和第二芯片区，所述发射极焊接区2.2设置在第一芯片区最下方的第一芯片位和第二芯片区最下方的第二芯片位之间；所述基板10的正面还设置有第三金属片12.5，所述第三金属片12.5三面环绕设置在第一金属片2的外部，所述第三金属片12.5包括辅助发射极区12.4和集电极焊接区12.1，所述辅助发射极区12.4位于第一金属片2两侧，所述集电极焊接区12.1与发射极焊接区2.2相邻，所述辅助发射极区12.4上设置有多个第一键合位12.2、辅助极安装位12.3；所述基板10的中部设置有栅极区11，所述栅极区11由设置于基板10正面的第二金属片11.2作为基底，所述第二金属片11.2的外部环绕有第一金属片2；所述第二金属片11.2上设置有第二键合位11.1和栅极安装位11.3，所述第二键合位11.1位于栅极安装位11.3的上部。
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