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申请/专利权人：松下知识产权经营株式会社
摘要：本发明涉及一种蚀刻液。通过干蚀刻对源极漏极间的非晶硅进行挖掘时，存在形成构成电极端子的铜钼膜的钼膜的下侧被挖开的遮檐形状。一种蚀刻液，其特征在于，其由过氧化氢、有机酸、胺类、唑类、过氧化氢分解抑制剂和水构成，前述有机酸为选自乙醇酸、乳酸、草酸、丙二酸、马来酸、琥珀酸、苹果酸、柠檬酸、天冬氨酸、谷氨酸中的3种以上的混合物，所述蚀刻液能够将遮檐形状蚀刻成规定的形状。
主权项：1.一种蚀刻液，其特征在于，所述蚀刻液用于对在基材上配置的钼和铜的双层膜的下方的所述基材通过干蚀刻被除去、而形成遮檐状的所述双层膜进行蚀刻，所述蚀刻液仅由过氧化氢、有机酸、胺类、唑类、过氧化氢分解抑制剂和水组成，所述有机酸为选自乙醇酸、乳酸、草酸、丙二酸、马来酸、琥珀酸、苹果酸、柠檬酸、天冬氨酸、谷氨酸中的3种以上的混合物，所述胺类为选自NNDPAN,N-二乙基-1,3-二氨基丙烷、PEHA五乙烯六胺和PMDETA五甲基二乙烯三胺中的1种以上。
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权利要求：
百度查询： 松下知识产权经营株式会社 蚀刻液
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