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申请/专利权人：中国科学院物理研究所
摘要：本发明提供一种用于碳化硅单晶扩径的方法，其依次包括以下步骤：1将原料置于石墨坩埚中，并且将SiC籽晶固定于籽晶杆，选择晶体生长速度更低的籽晶面作为晶体生长面；2将所述石墨坩埚置于生长炉中，然后对所述生长炉抽真空；3向所述生长炉内通入功能性气体和保护性气体，并控制生长炉内的气压；4加热所述石墨坩埚使得原料完全熔化以形成熔体；5下降所述籽晶杆使得籽晶的侧面浸入所述熔体；6调整石墨坩埚在感应线圈中的位置和籽晶背向保温结构，使得轴向温度梯度为0.5～5℃cm，进而使得所述籽晶的侧面{10‑10}面和{11‑20}面的生长速度变快以扩径制备碳化硅单晶。本发明的方法可以高效地获得低缺陷密度的大尺寸碳化硅籽晶。
主权项：1.一种用于碳化硅单晶扩径的方法，其依次包括以下步骤：1将原料置于石墨坩埚中，并且将SiC籽晶固定于籽晶杆，选择晶体生长速度更低的籽晶面作为晶体生长面；2将所述石墨坩埚置于生长炉中，然后对所述生长炉抽真空；3向所述生长炉内通入功能性气体和保护性气体，并控制生长炉内的气压；4加热所述石墨坩埚使得原料完全熔化以形成熔体；5下降所述籽晶杆使得籽晶的侧面浸入所述熔体；6调整石墨坩埚在感应线圈中的位置和籽晶背向保温结构，使得轴向温度梯度为0.5～5℃cm，进而使得所述籽晶的侧面{10-10}面和{11-20}面的生长速度变快以扩径制备碳化硅单晶；7任选地，使得步骤6制得的碳化硅单晶经受磨抛加工，并且将加工后的碳化硅单晶作为新的SiC籽晶，并重复步骤1至6以进一步扩径制备碳化硅单晶。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院物理研究所 用于碳化硅单晶扩径的方法
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