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一种低铁损双重包覆软磁复合材料及其制备方法 

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申请/专利权人:国网智能电网研究院有限公司

摘要:本发明提供了一种低铁损双重包覆软磁复合材料及其制备方法,制备原料包括绝缘包覆磁粉、粘结剂和脱模剂;所述绝缘包覆磁粉包括包覆SiO2的磁粉以及包覆在包覆SiO2的磁粉表面的氧化硼绝缘包覆层,所述包覆SiO2的磁粉包括金属磁粉以及包覆在金属磁粉表面的SiO2绝缘包覆层;所述金属磁粉包括第一种金属磁粉Fe‑Si‑Ge‑R1和第二种金属磁粉Fe‑Si‑Al‑C‑R2。本发明制得的低铁损双重包覆软磁复合材料具有低中高频损耗,还具有高的初始磁导率,适用于变压器、电抗器等电工装备。

主权项:1.一种低铁损双重包覆软磁复合材料,其特征在于,所述低铁损双重包覆软磁复合材料的制备原料包括绝缘包覆磁粉、粘结剂和脱模剂,所述绝缘包覆磁粉、粘结剂和脱模剂的质量比为100~200:1~2:0.1~0.2;所述绝缘包覆磁粉包括包覆SiO2的磁粉以及包覆在包覆SiO2的磁粉表面的氧化硼绝缘包覆层,所述包覆SiO2的磁粉包括金属磁粉以及包覆在金属磁粉表面的SiO2绝缘包覆层;所述金属磁粉包括第一种金属磁粉和第二种金属磁粉;所述第一种金属磁粉包括FeaSibGecR1d,其中R1为Tb或Nd,a、b、c、d为对应元素的原子百分数,a+b+c+d=100at%,87at%≤a≤94at%,4at%≤b≤9at%,1at%≤c≤2at%,1at%≤d≤2at%;所述第二种金属磁粉包括FeeSifAlgChR2i,其中R2为Tb或Nd,e、f、g、h、i为对应元素的原子百分数,e+f+g+h+i=100at%,80at%≤e≤88at%,6at%≤f≤12at%,3at%≤g≤8at%,1at%≤h≤2at%,1at%≤i≤2at%。

全文数据:

权利要求:

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