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申请/专利权人：广州南砂晶圆半导体技术有限公司
摘要：本申请属于碳化硅晶体生长技术领域，本申请实施例提供一种用于碳化硅单晶生长的保温装置及碳化硅晶体生长装置，包括上保温层，上保温层构造有通孔；气体引流件，包括相互连通的第一筒体和第二筒体，第一筒体嵌设于通孔，第一筒体内形成有测温孔，第二筒体位于保温结构外，且第二筒体内径大于测温孔的直径。本申请通过在上保温层外设置气体引流件，并将气体引流件设计为包括测温孔的第一筒体，以及内径大于测温孔的第二筒体，以将逸出的碳化硅气氛引导至第二筒体或上保温层外结晶，即，为逸出的碳化硅气氛提供较为固定的凝结区域，以避免碳化硅气氛对测温孔造成堵塞，以及减轻对保温结构的腐蚀。
主权项：1.一种用于碳化硅单晶生长的保温装置，其特征在于，包括：上保温层，所述上保温层构造有通孔；气体引流件，包括相互连通的第一筒体和第二筒体，所述第一筒体嵌设于所述通孔，所述第一筒体内形成有测温孔，所述第二筒体位于所述上保温层外，且所述第二筒体内径大于所述测温孔的直径。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 广州南砂晶圆半导体技术有限公司 用于碳化硅单晶生长的保温装置及碳化硅晶体生长装置
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