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申请/专利权人：中国电子科技集团公司第十六研究所

摘要：本发明涉及一种可用于高灵敏度接收前端的低温低噪声放大器，该低温低噪声放大器包括三级InP裸管芯和六路偏置匹配电路；三级InP裸管芯分别为：第一级管芯T1、第二级管芯T2和第三级管芯T3；六路偏置匹配电路，分别为：第一级管芯T1输入偏置匹配电路、第一级管芯T1输出偏置匹配电路、第二级管芯T2输入偏置匹配电路、第二级管芯T2输出偏置匹配电路、第三级管芯T3输入偏置匹配电路、第三级管芯T3输出偏置匹配电路。本发明采用InPHEMT来设计低温低噪声放大器，实现基于InPHEMT裸管芯设计的混合集成电路。通过采用InPHEMT来设计放大器，可以进一步降低极低温度下低噪放的噪声温度，突破GaAsHEMT的噪声极限。

主权项：1.一种可用于高灵敏度接收前端的低温低噪声放大器，其特征在于，该低温低噪声放大器包括三级InP裸管芯和六路偏置匹配电路；所述三级InP裸管芯分别为：第一级管芯T1、第二级管芯T2和第三级管芯T3；所述六路偏置匹配电路，分别为：第一级管芯T1输入偏置匹配电路、第一级管芯T1输出偏置匹配电路、第二级管芯T2输入偏置匹配电路、第二级管芯T2输出偏置匹配电路、第三级管芯T3输入偏置匹配电路、第三级管芯T3输出偏置匹配电路；六路偏置匹配电路的偏置电压分别为Vg1、Vd1、Vg2、Vd2、Vg3和Vd3；所述第一级管芯T1输入偏置匹配电路包括T型微带匹配枝节、去耦芯片电容C5和C6、薄膜电阻R1和输入金丝w1；所述T型微带匹配枝节包括与电容C5连接的矩形微带TL1、与电容C1连接的矩形微带TL2和与输入金丝w1连接的矩形微带TL3；所述矩形微带TL2与所述矩形微带TL3之间通过渐变微带线连接；所述矩形微带TL1经薄膜电阻R1接偏置电压Vg1；所述矩形微带TL2经隔直芯片电容C1接射频输入信号；所述去耦芯片电容C5和所述去耦芯片电容C6分别连接在所述薄膜电阻R1的两端；所述矩形微带TL3通过输入金丝w1与所述第一级管芯T1的栅极相连，所述第一级管芯T1的源极连接有负反馈金丝w2；所述第一级管芯T1输出偏置匹配电路包括输出金丝w3、扼流电感金丝w4、偏置薄膜电阻R2、去耦芯片电容C7和C8；所述去耦芯片电容C7与薄膜电阻R11串联后入地；所述第一级管芯T1的漏极经所述输出金丝w3与第一过渡微带焊盘连接；所述扼流电感金丝w4经第一过渡微带焊盘与芯片电容C2的一端相连，另一端通过偏置薄膜电阻R2接偏置电压Vd1；所述去耦芯片电容C7的一端经所述薄膜电阻R1连接在所述偏置薄膜电阻R2与所述偏置电压Vd1之间的节点上；所述去耦芯片电容C8的一端连接在所述偏置薄膜电阻R2与所述偏置电压Vd1之间的节点上；所述第二级管芯T2输入偏置匹配电路包括去耦芯片电容C9和C10、薄膜电阻R3、扼流电感金丝w5和输入金丝w6；所述第一级管芯T1输出偏置匹配电路通过隔直芯片电容C2与所述输入金丝w6的一端相连，所述输入金丝w6的另一端与所述第二级管芯T2的栅极相连；所述输入金丝w6与所述隔直芯片电容C2相连的一端还通过所述扼流电感金丝w5与所述薄膜电阻R3的一端相连，所述薄膜电阻R3的另一端接偏置电压Vg2；所述去耦芯片电容C9和C10并联后的一端连接在所述薄膜电阻R3与所述偏置电压Vg2之间的节点上；所述第二级管芯T2的源极连接有负反馈金丝w7；所述第二级管芯T2输出偏置匹配电路包括输出金丝w8、扼流电感金丝w9、偏置薄膜电阻R4、去耦芯片电容C11和C12；所述去耦芯片电容C11与薄膜电阻R5串联后入地；所述第二级管芯T2的漏极经所述输出金丝w8与第二过渡微带焊盘连接；所述扼流电感金丝w9经第二过渡微带焊盘与芯片电容C2的一端相连，另一端通过偏置薄膜电阻R4接偏置电压Vd2；所述去耦芯片电容C11的一端经所述薄膜电阻R5连接在所述偏置薄膜电阻R4与所述偏置电压Vd2之间的节点上；所述去耦芯片电容C12的一端连接在所述偏置薄膜电阻R4与所述偏置电压Vd2之间的节点上；所述第三级管芯T3输入偏置匹配电路包括去耦芯片电容C13和C14、薄膜电阻R6、输入金丝w11、扼流电感金丝w10；所述第二级管芯T2输出偏置匹配电路通过隔直芯片电容C3与所述输入金丝w11的一端相连，所述输入金丝w11的另一端与所述第三级管芯T3的栅极相连；所述输入金丝w11的一端通过扼流电感金丝w10与所述薄膜电阻R6的一端相连，薄膜电阻R6的另一端接偏置电压Vg3；所述薄膜电阻R6与所述偏置电压Vg3之间的节点上连接有并联连接的去耦芯片电容C13和C14；所述第三级管芯T3的输入端还包括均衡电路，所述均衡电路采用金丝w12、芯片电容C17和薄膜电阻R9串联到地；所述金丝w12的一端与所述输入金丝w11的一端相连，另一端依次经薄膜电阻R9、芯片电容C17后接地；所述第三级管芯T3输出偏置匹配电路包括输出金丝w15、扼流电感金丝w16、偏置薄膜电阻R7、去耦芯片电容C15和C16；所述去耦芯片电容C15与薄膜电阻R8串联后入地；所述第三级管芯T3的源极连接有负反馈金丝w14；所述第三级管芯T3的漏极经输出金丝w15连接有隔直芯片电容C4；所述隔直芯片电容C4的一端分别与输出金丝w15、扼流电感金丝w16、栅漏并联负反馈金丝w17相连，另一端作为射频信号输出端；所述扼流电感金丝w16的一端与所述隔直芯片电容C4相连，另一端经偏置薄膜电阻R7与所述偏置电压Vd3相连；所述去耦芯片电容C15的一端经所述薄膜电阻R8连接在所述偏置薄膜电阻R7与所述偏置电压Vd3之间的节点上；所述去耦芯片电容C16的一端连接在所述偏置薄膜电阻R7与所述偏置电压Vd3之间的节点上；所述第三级管芯T3的栅极和漏极之间设有并联负反馈电路，所述并联负反馈电路包括金丝w13、金丝w17、芯片电容C18和薄膜电阻R10；所述金丝w13的一端连接在输入金丝w11和金丝w12之间的节点上，另一端经芯片电容C18接薄膜电阻R10的一端，所述薄膜电阻R10的另一端经金丝w17与所述隔直芯片电容C4的一端相连。

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