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申请/专利权人：湖南联合半导体科技有限公司
摘要：本发明公开了一种用于制备颗粒产品的化学气相沉积装置，筒体竖直设置在化学气相沉积炉的内腔中，筒体的上端抵接于上盖，下端抵接于下盖；筒体的内壁上设置有至少三个支撑圆环；筒体内设置有至少三个多孔板；多孔板具有若干个通孔，多孔板的边缘搁置于支撑圆环上；相邻两个多孔板之间设置有若干个喷管，喷管的侧壁上设置有若干个穿孔，喷管的下端抵接于下方的多孔板，喷管的上端抵接于上方的多孔板；下方的多孔板的通孔全部对应于若干个喷管的内腔，上方的多孔板的通孔全部对应于若干个喷管之间的间隙。本发明通过对反应气体的流动路径进行引导、控制，实现了高纯碳化硅粉在原料气氛中通过化学气相沉积长大，可实现大粒径、高纯度颗粒的制备。
主权项：1.一种用于制备颗粒产品的化学气相沉积装置，其包括化学气相沉积炉1，所述化学气相沉积炉1包括上盖1.1和下盖1.2，所述下盖1.2设置有进气通道1.3，所述上盖1.1设置有出气通道1.4，其特征在于，还包括筒体2、多孔板3和喷管4；所述筒体2竖直设置在所述化学气相沉积炉1的内腔中，所述筒体2的上端抵接于所述上盖1.1，下端抵接于所述下盖1.2；所述筒体2的内壁上设置有至少三个支撑圆环2.1；所述筒体2内沿着竖直方向间隔设置有至少三个所述多孔板3，最下方的所述多孔板3与所述下盖1.2之间具有间隙；所述多孔板3具有若干个通孔3.1，所述多孔板3的边缘搁置于所述支撑圆环2.1上；相邻两个所述多孔板3之间设置有若干个所述喷管4，所述喷管4的侧壁上设置有若干个穿孔4.1，所述喷管4竖直设置，且所述喷管4的下端抵接于下方的所述多孔板3，所述喷管4的上端抵接于上方的所述多孔板3；下方的所述多孔板3的通孔3.1全部对应于若干个所述喷管4的内腔，上方的所述多孔板3的通孔3.1全部对应于若干个所述喷管4之间的间隙。
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