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申请/专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
摘要：本申请公开一种半导体工艺腔室及其控制方法，涉及半导体工艺技术领域。该半导体工艺腔室包括腔室本体、第一抽气组件和气体净化组件，所述腔室本体设有第一通气孔和第二通气孔，所述第一抽气组件的第一端与所述第一通气孔相连通，所述气体净化组件的第一端与所述第二通气孔相连通，所述第一通气孔可通过所述第一抽气组件和所述气体净化组件与所述二通气孔相连通。该方案能够解决目前刻蚀工艺过程中含卤素的气体容易腐蚀气路管道的问题。
主权项：1.一种半导体工艺腔室，其特征在于，包括腔室本体100、第一抽气组件200和气体净化组件300，所述腔室本体100设有第一通气孔110和第二通气孔120，所述第一抽气组件200的第一端与所述第一通气孔110相连通，所述气体净化组件300的第一端与所述第二通气孔120相连通，所述第一通气孔110可通过所述第一抽气组件200和所述气体净化组件300与所述二通气孔120相连通。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京北方华创微电子装备有限公司 半导体工艺腔室及其控制方法
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