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申请/专利权人：北京超弦存储器研究院
摘要：本公开涉及一种数据读写电路及其方法、存储器及其驱动方法、电子设备，涉及存储技术领域，以提高数据读取的准确度。该数据读写方法，应用于存储单元，包括步骤如下。在预充电阶段，数据信号线向存储晶体管提供第一参考电压，辅助信号线向存储晶体管和写晶体管同时提供第一参考电压；写晶体管导通，对写晶体管和存储晶体管之间的存储节点进行预充电；其中，存储单元可存储数据对应的最大数据电压与存储晶体管的阈值电压之和为基准电压，第一参考电压大于基准电压。在数据写入阶段，响应于写命令，辅助信号线浮置，数据信号线向存储晶体管提供数据电压；存储晶体管导通，存储节点放电至稳定状态，以写入所述数据电压对应的数据。
主权项：1.一种数据读写方法，其特征在于，应用于存储单元；所述存储单元被配置为存储数据，包括相连接的存储晶体管和写晶体管；所述存储单元的数据读写周期包括：预充电阶段和数据写入阶段；所述数据读写方法包括：在所述预充电阶段，数据信号线向所述存储晶体管提供第一参考电压，辅助信号线向所述存储晶体管和所述写晶体管同时提供所述第一参考电压；所述写晶体管导通，对所述写晶体管和所述存储晶体管之间的存储节点进行预充电；其中，所述数据对应的最大数据电压与所述存储晶体管的阈值电压之和为基准电压，所述第一参考电压大于所述基准电压；在所述数据写入阶段，响应于写命令，所述辅助信号线浮置，所述数据信号线向所述存储晶体管提供数据电压；所述存储晶体管导通，所述存储节点放电至稳定状态，以写入所述数据电压对应的数据。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京超弦存储器研究院 数据读写电路及其方法、存储器及其驱动方法、电子设备
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