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申请/专利权人：电子科技大学
摘要：本发明公开了一种基于Bi单离子及BiSb、BiAg双离子掺杂的Cs2NaInCl6钙钛矿材料及其制备方法，具体涉及钙钛矿材料技术领域，该材料由化学式Cs2NaIn1‑xMxCl6表示，其中M代表Bi、Sb或Bi与Ag的组合，x为掺杂浓度，表示M离子取代In离子的比例，x的取值范围为0x≤1，且当M为Bi与Ag的组合时，表示In离子和Na离子分别同时被Bi离子和Ag离子取代。本发明的钙钛矿材料在能带带隙、发光效率、稳定性和光电转换效率等方面具有优势，成为光电子器件优良的候选材料。
主权项：1.一种基于Bi单离子及BiSb、BiAg双离子掺杂的Cs2NaInCl6钙钛矿材料，其特征在于：该材料由化学式Cs2NaIn1-xMxCl6表示，其中M代表Bi、Sb或Bi与Ag的组合，x为掺杂浓度，表示M离子取代In离子的比例，x的取值范围为0x≤1，且当M为Bi与Ag的组合时，表示In离子和Na离子分别同时被Bi离子和Ag离子取代。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 电子科技大学 一种基于Bi单离子及Bi/Sb、Bi/Ag双离子掺杂的Cs2NaInCl6钙钛矿材料及其制备方法
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