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申请/专利权人：北京时代全芯存储技术股份有限公司;美国时代全芯有限公司
摘要：本发明提供一种半导体钨导线接触窗WKH的PFA方法，属于半导体集成电路制造领域。本发明的PFA方法包括：切割步骤，将晶圆的需要进行PFA的部分切割成PFA试片。涂覆步骤，用马克笔在所述的PFA试片横截面上进行涂覆。以及观察步骤，使用SEM对所述横截面进行观察。通过本发明提供的PFA方法，可以避免PFA试片在制备时对PFA试片横截面的元件结构造成损伤，从而能够准确进行PFA。
主权项：1.一种半导体钨导线接触窗的物理失效分析方法，包括：切割步骤S001，将晶圆1的需要进行所述物理失效分析的部分切割成物理失效分析试片2；涂覆步骤S002，用马克笔在所述物理失效分析试片2的需要进行所述物理失效分析的横截面4上进行涂覆；以及观察步骤S003，使用扫描电子显微镜对所述横截面4进行观察。
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权利要求：
百度查询： 北京时代全芯存储技术股份有限公司 美国时代全芯有限公司 半导体钨导线接触窗的物理失效分析方法
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