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申请/专利权人：深圳市正世科技有限公司
摘要：本发明公开了一种存储芯片的质量检测方法及系统。将所述完整时间长度对应的传输数据量求取平均绘制一条直线，将读取时间图中的多个点进行连接，得到差距连接图能够体现出一个完整的数据与传输其的数据包之间传输的数据量的关系。得到的交叉点能够体现传输数据包正常，不会过慢导致存储芯片读写时间慢的时间点。所述交叉点表示了界限点。将所述界限的对应的线段输入第一时间卷积网络，能够检测到读写时间是小于或大于交叉点的时间，整体是增长还是下降的特征。根据芯片放电谱图，能够增加在交叉点的特征，检测在读写过程中耗电的特征。采用上述两种特征共同检测，能够达到更加准确检测存储芯片的质量的技术效果。
主权项：1.一种存储芯片的质量检测方法，其特征在于，包括：获取存储芯片读取不同大小的一个完整的数据导入的时间长度，得到完整时间长度、多个传输包时间段和对应的传输包数据量；所述传输包时间段表示传输一个完整的数据的一个数据包的时间长度；所述传输包数据量表示传输一个完整的数据的部分的数据量；获取传输包时间段对应的芯片放电谱图；所述芯片放电谱图表示传输表示存储芯片多个时间点不同频率放电量的图谱；根据多个传输包时间段，以长表示传输时间点，宽表示传输包数据量，构建读取时间图；基于所述读取时间图和所述完整时间长度，构建部分平均与全部平均的传输包数据量之间的关系，得到差距连接图和交叉点；基于所述差距连接图和交叉点，读取一个完整数据的多个传输包之间的关系，得到传输包内部关系特征；基于交叉点，检测所述差距连接图与芯片放电谱图之间的关系，得到芯片放电特征；将所述传输包内部关系特征和芯片放电特征输入第一全连接神经网络，进行读取速度和放电状态的检测，得到检测质量。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 深圳市正世科技有限公司 一种存储芯片的质量检测方法及系统
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