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申请/专利权人:华南理工大学
摘要:本申请提供了一种半导体氧化物薄膜及其制备方法,所述半导体氧化物薄膜的成分包括多层金属氧化物层;所述多层金属氧化物层的组成通式为AOαBOβROγ,其中α,β,γ分别为AO层,BO层,RO层的循环次数;AO为第一金属的氧化物层,BO为第二金属的氧化物层,RO为第三稀土金属的氧化物层。所述半导体氧化物薄膜通过成分及结构的调控,在In和或Sn的金属氧化物层中,同时引入两种作用不同的第二金属氧化物层和第三稀土金属氧化物层,提高了半导体氧化物薄膜的光热稳定性。所述制备方法通过控制ALD沉积工艺的相关参数,制得的半导体氧化物薄膜致密度极高,成分微区分布均匀且易于精确控制,表面形貌覆盖性优异。
主权项:1.一种半导体氧化物薄膜,其成分包括多层金属氧化物层;所述多层金属氧化物层的组成通式为AOαBOβROγ,其中α,β,γ分别为AO层,BO层,RO层的循环次数;AO为第一金属的氧化物层,BO为第二金属的氧化物层,RO为第三稀土金属的氧化物层。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 华南理工大学 一种半导体氧化物薄膜及其制备方法
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