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申请/专利权人：北京大学
摘要：本发明公开了一种叠层氧化物忆阻器的制备方法，属于半导体semiconductor和CMOS混合集成电路技术领域。本发明叠层氧化物忆阻器包括底电极层、介质层A、介质层B和顶电极层，在制备完氧化物忆阻器的两层介质层后，在氮气氛围下，采用激光扫描的方式对介质层表面进行退火处理。采用本发明可以有效缓解介质层界面损伤，提升忆阻器性能。
主权项：1.一种叠层氧化物忆阻器的制备方法，其特征在于，具体步骤包括：1利用物理气相淀积或者电镀工艺在衬底上制备底电极层；2利用物理气相淀积、化学气相淀积或者原子层淀积的方式生长介质层A；3利用物理气相淀积、化学气相淀积或者原子层淀积的方式生长介质层B，介质层B的禁带宽度小于介质层A的禁带宽度；4在纯氮气氛围下，采用10nm-800nm波长范围的激光扫描介质层B的表面，激光穿过介质层B，在介质层A和介质层B之间界面产热，通过局域热退火缓解界面损伤；5利用物理气相淀积或者电镀工艺制备顶电极层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京大学 一种叠层氧化物忆阻器的制备方法
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