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申请/专利权人：武汉敏芯半导体股份有限公司
摘要：本申请公开了半导体激光器的电极的制备方法及电极，该方法包括：对第一晶圆进行沉积处理，以使第一晶圆的表面附着第一金属膜，得到第二晶圆；对第二晶圆进行电镀处理，以使第一金属膜上附着第二金属膜，得到第三晶圆，其中，第三晶圆已剥离光刻胶；对第三晶圆依次进行涂光刻胶和光刻处理，以形成第二光刻图形，得到第四晶圆；对第四晶圆进行沉积处理，以使第四晶圆的表面附着第三金属膜，对附着第三金属膜的第四晶圆进行剥离处理，得到半导体激光器的电极。通过电镀方式在第一金属膜外又附着第二金属膜，使得第一金属膜和第二金属膜贴合紧密，相当于加厚了第一金属层，使得金属电极的热容量变大，提高了半导体激光器的电极散热性。
主权项：1.一种半导体激光器的电极的制备方法，其特征在于，包括：对第一晶圆进行沉积处理，以使所述第一晶圆的表面附着第一金属膜，得到第二晶圆，其中，所述第一晶圆上形成有第一光刻图像和脊波导，所述第一晶圆上有部分表面涂敷有光刻胶，部分表面裸露着衬底的半导体材料；对第二晶圆进行电镀处理，以使所述第一金属膜上附着第二金属膜，在电镀之前或电镀处理之后进行光刻胶剥离，若在电镀之前进行光刻胶剥离，光刻胶上附着的第一金属随之剥离，若在电镀之后进行光刻胶剥离，光刻胶上附着的第一金属和第二金属随之剥离，只有圆晶表面欧姆接触点的区域和光刻胶未涂敷的区域附着第一金属膜和第二金属膜，得到第三晶圆，其中，所述第三晶圆已剥离光刻胶；对第三晶圆依次进行涂光刻胶处理和光刻处理，形成第二光刻图形，得到第四晶圆；对第四晶圆进行沉积处理，以使所述第四晶圆的表面附着第三金属膜，对附着第三金属膜的第四晶圆进行剥离处理，得到半导体激光器的电极，其中，根据第二光刻图形对选定区域进行沉积处理；所述对第一晶圆进行沉积处理之前，所述电极制备方法还包括：提供衬底，对所述衬底进行光刻胶涂敷处理，其中，所述衬底形成有脊波导；对涂敷光刻胶后的衬底进行曝光和显影处理，形成第一光刻图像，得到第一晶圆。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 武汉敏芯半导体股份有限公司 半导体激光器的电极的制备方法及电极
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