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申请/专利权人：华中科技大学
摘要：本发明属于光电子相关技术领域，其公开了一种新型相变电控光子神经元器件及其制备方法与应用，器件包括：基底、波导层、相变材料层以及加热层；相变材料层的化学通式为SbxTey，x+y=1，0.6y1，相变材料层具Sb2Te3相和Te相，Sb2Te3相镶嵌在Te相内形成岛状结构；当加热层温度升高时，在加热层热诱导作用下，Te相由晶态变成非晶态或熔融态，而Sb2Te3相维持晶态；当降低温度时，Te相在低温下自发结晶且以晶态Sb2Te3相为形核位点，能够促进相变材料层快速稳定地结晶，实现神经元自发回到稳定静息电位的功能。
主权项：1.一种新型相变电控光子神经元器件，其特征在于，包括基底、位于所述基底上的波导层、位于所述波导层上的相变材料层以及对所述相变材料层进行加热的加热层；其中，所述相变材料层的化学通式为SbxTey，x+y=1，0.6y1，所述相变材料层具有物性不同的两相，分别为Sb2Te3相和Te相，所述Sb2Te3相镶嵌在Te相内形成岛状结构；当所述加热层温度升高至大于Te相状态转变阈值时，Te相由晶态变成非晶态或熔融态，Sb2Te3相维持晶态；当所述加热层温度降低至小于Te相状态转变阈值时，Te相以晶态的Sb2Te3相为形核位点，由非晶态或熔融态转换为晶态。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华中科技大学 一种新型相变电控光子神经元器件及其制备方法与应用
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