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申请/专利权人：郑州轻工业大学

摘要：本发明属于磁场探测技术领域，公开了一种利用环形磁电传感器探测平行涡旋交直流双模态磁场的方法，所述环形磁电传感器包括密封在非磁性外壳内的环形磁电复合元件以及均匀密绕在所述非磁性外壳外围的铜质线圈；所述环形磁电复合元件包括两层磁致伸缩元件和一层压电陶瓷元件，所述磁致伸缩元件位于所述压电陶瓷元件的上下两侧形成对称型同心圆环结构，所述磁致伸缩元件的材料为Ni0.2Zn0.8Fe2O4，所述压电陶瓷元件的材料为PZT‑8；所述方法包括以下步骤：将环形磁电传感器置于亥姆霍兹线圈中央，调节平行磁场大小，实现平行直流交流双模态磁场的探测；将环形磁电传感器穿过通电导线，调节涡流磁场大小，实现涡流直流交流双模态磁场的探测。

主权项：1.一种利用环形磁电传感器探测平行涡旋交直流双模态磁场的方法，其特征在于，所述环形磁电传感器包括密封在非磁性外壳内的环形磁电复合元件以及均匀密绕在所述非磁性外壳外围的铜质线圈；所述环形磁电复合元件包括两层磁致伸缩元件和一层压电陶瓷元件，所述磁致伸缩元件位于所述压电陶瓷元件的上下两侧形成对称型同心圆环结构，所述磁致伸缩元件的材料为Ni0.2Zn0.8Fe2O4，所述压电陶瓷元件的材料为PZT-8；所述平行交直流磁场的探测方法包括以下步骤：A，将环形磁电传感器置于亥姆霍兹线圈中央；B，给铜质线圈提供激励频率产生周向交流磁场，此时环形磁电复合元件处于谐振状态，调节外部平行直流磁场大小，使环形磁电复合元件的输出电压发生改变，实现平行直流磁场的探测；C，给铜质线圈提供直流电产生周向直流磁场，此时环形磁电复合元件处于最佳偏置状态，调节外部平行交流磁场大小，使环形磁电复合元件的输出电压发生改变，实现平行交流磁场的探测；所述涡旋交直流磁场的探测方法包括以下步骤：A，将环形磁电传感器穿过通电导线；B，给铜质线圈提供激励频率产生周向交流磁场，此时环形磁电复合元件处于谐振状态，调节外部涡旋直流磁场大小，使环形磁电复合元件的输出电压发生改变，实现涡旋直流磁场的探测；C，给铜质线圈提供直流电产生周向直流磁场，此时环形磁电复合元件处于最佳偏置状态，调节外部涡旋交流磁场大小，使环形磁电复合元件的输出电压发生改变，实现涡旋交流磁场的探测。

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