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申请/专利权人：美光科技公司
摘要：本公开包含用于存储器单元的多状态编程的设备、方法及系统。实施例包含具有多个存储器单元的存储器，以及经配置以通过以下操作而将所述多个存储器单元中的存储器单元编程为四种可能数据状态中的一者的电路系统：向所述存储器单元施加第一电压脉冲，其中所述第一电压脉冲具有第一极性及第一量值；及向所述存储器单元施加第二电压脉冲，其中所述第二电压脉冲具有第二极性及第二量值，且施加所述第二电压脉冲的持续时间比施加所述第一电压脉冲的持续时间短。
主权项：1.一种用于存储器单元多状态编程的设备，其包括：存储器；及电路系统，其经配置以通过以下操作而将所述存储器中的存储器单元编程为四种可能数据状态中的一者：向所述存储器单元施加第一电压脉冲，其中所述第一电压脉冲具有第一极性，将所述存储器单元编程为所述四种可能数据状态中的两种数据状态中的一者以响应施加到所述存储器单元的所述第一电压脉冲，且与所述两种数据状态相关联的阈值电压分布为非对称的；及向所述存储器单元施加第二电压脉冲，其中：所述第二电压脉冲具有第二极性；将所述存储器单元编程为所述四种可能数据状态中的另外两种数据状态中的一者以响应施加到所述存储器单元的所述第二电压脉冲；与所述另外两种数据状态相关联的阈值电压分布为非对称的；及施加所述第二电压脉冲的持续时间比施加所述第一电压脉冲的持续时间短；及其中与所述四种可能数据状态中的第一者相关联的阈值电压分布的幅度小于与所述四种可能数据状态中的第二者相关联的阈值电压分布的幅度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 美光科技公司 存储器单元的多状态编程
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