龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：常州瀚镓半导体有限公司
摘要：本发明公开了一种改进型宽光谱吸收材料的制备方法，包括以下步骤：S1、衬底处理，将脱氧处理的后的GaAs衬底基片加热，对GaAs衬底进行表面脱氧处理；S2、第一缓冲层制备，在S1中降温，生长GaAs第一缓冲层；S3、第二缓冲层制备，在GaAs第一缓冲层的基础基础上，生长InxGa1‑xAs第二缓冲层；S4、InxGa1‑xAs外延层制备。通过以GaAs衬底，并在GaAs衬底上生长GaAs第一缓冲层、在GaAs第一缓冲层生长InxGa1‑xAs第二缓冲层，并在InxGa1‑xAs第二缓冲层生长InxGa1‑xAs外延层，从而生长出具有特定组分，特定厚度，特定电学和光学参数的InxGa1‑xAs外延层，使光敏区材料对高于850nm波长也能产生吸收，从而增加感光波长范围，进而经过吸收光谱的材料配比的改进及层生长的结构设计，相较传统PIN光电芯片的层设计，其感光范围得到扩展。
主权项：1.一种改进型宽光谱吸收材料的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：S1、衬底处理，将脱氧处理的后的GaAs衬底基片加热，对GaAs衬底进行表面脱氧处理；S2、第一缓冲层制备，在S1中降温，并开启III族与V族的气态源物质In,Ga,As，束流，并进行有控制的输送，其中，III族元素流量通常为1～5×10-5克分子，V族元素的流量为（1～5）×10-3克分子，从而得到GaAs第一缓冲层；S3、第二缓冲层制备，在GaAs第一缓冲层的基础基础上，且与第一缓冲层制备的温度相同，开启III族与V族的气态源物质In,Ga,As，束流，并进行有控制的输送，从而得到InxGa1-xAs第二缓冲层；S4、InxGa1-xAs外延层制备，在第二缓冲层制备的基础上，进行升温，生长InxGa1-xAs光吸收层，从而得到InxGa1-xAs外延层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 常州瀚镓半导体有限公司 一种改进型宽光谱吸收材料及其制备方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号