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申请/专利权人：华硼中子科技(杭州)有限公司
摘要：本发明涉及中子源靶领域，公开了一种加速器中子源靶Ta‑Ti二元吸氢过渡层及其制备方法。该Ta‑Ti二元吸氢过渡层通过磁控共溅射技术沉积于基体表面，所述Ta‑Ti二元吸氢过渡层中包括均匀分布的钽和钛；钽和钛的质量比为80:20‑90:10。本发明通过磁控共溅射技术于加速器中子源靶的基体表面构建Ta‑Ti二元吸氢过渡层，该Ta‑Ti二元吸氢过渡层残余内应力低，与基体结合力高，不易开裂及脱落；此外，本发明方法简单，无需更换靶材，溅射效率高。
主权项：1.一种加速器中子源靶Ta-Ti二元吸氢过渡层，其特征在于：通过磁控共溅射技术沉积于基体表面，所述Ta-Ti二元吸氢过渡层中包括均匀分布的钽和钛；钽和钛的质量比为80:20-90:10。
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