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申请/专利权人:复旦大学;上海集成电路制造创新中心有限公司
摘要:本发明提供了一种柔性铁电存储器件及其制备方法,通过提供柔性衬底;在所述衬底上生长第一金属层,作为存储器的栅极;通过原子层沉积法在所述第一金属层上掺杂二氧化铪形成铁电层;在所述铁电层上生长第二金属层,作为存储器的源极和漏极;将有机材料通过真空热蒸发沉积在所述第二金属层上,形成柔性可弯折的沟道,得到柔性铁电存储器件,通过真空热蒸发沉积有机材料形成柔性可弯折的沟道,简化了柔性铁电存储器件生产过程,降低了生产成本,通过掺杂二氧化铪形成铁电层,实现了高性能柔性铁电存储器件的制备,满足可穿戴设备的存储需求。
主权项:1.一种柔性铁电存储器件的制备方法,其特征在于,包括:提供柔性衬底;在所述衬底上生长第一金属层,作为存储器的栅极;通过原子层沉积法在所述第一金属层上掺杂二氧化铪形成铁电层;在所述铁电层上生长第二金属层,作为存储器的源极和漏极;将有机材料通过真空热蒸发沉积在所述第二金属层上,形成柔性可弯折的沟道,得到柔性铁电存储器件。
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