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申请/专利权人：旺宏电子股份有限公司
摘要：本公开提供了一种存储器装置及其操作方法，用于执行存储器内运算。存储器装置包括多个存储单元，各存储单元储存权重值，各存储单元包括晶体管与电阻。晶体管具有栅极、漏极与源极，栅极接收输入电压，输入电压表示输入值。当晶体管操作于第一操作点时，输入电压相等于第一输入电压。当晶体管操作于第二操作点时，输入电压相等于第二输入电压。第二输入电压高于第一输入电压。电阻连接于晶体管的漏极与源极。当电阻操作在第一状态时，权重值相等于第一权重值。当电阻操作在第二状态时，权重值相等于第二权重值。各存储单元执行输入值与权重值的乘积运算。
主权项：1.一种存储器装置，用于执行一存储器内运算，该存储器装置包括：多个存储单元，各该存储单元储存一权重值，各该存储单元包括：一晶体管，具有一栅极、一漏极与一源极，该栅极接收一输入电压，该输入电压表示一输入值，当该晶体管操作于一第一操作点时，该输入电压相等于一第一输入电压，当该晶体管操作于一第二操作点时，该输入电压相等于一第二输入电压，该第二输入电压高于该第一输入电压；以及一电阻，连接于该晶体管的该漏极与该源极，当该电阻操作于一第一状态时，该权重值相等于一第一权重值，当该电阻操作于一第二状态时，该权重值相等于一第二权重值，其中，各该存储单元执行该输入值与该权重值的一乘积运算。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 旺宏电子股份有限公司 用于执行存储器内运算的存储器装置及其操作方法
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