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IGBT电极自锁紧结构及其与覆铜基板的焊接方法、IGBT电极结构 

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申请/专利权人:西安中车永电电气有限公司

摘要:本发明属于半导体器件技术领域,涉及IGBT电极自锁紧结构及其与覆铜基板的定位焊接方法、IGBT电极结构。该IGBT电极自锁紧结构,通过对IGBT电极及其配套母座的结构设计,在装配过程中,IGBT电极引脚的弹性变形被最大限度压缩,装配后,释放部分变形量形成机械尺寸的配合,并采用第一锁紧部及第二锁紧部的配合,阻止引脚与母座脱离。本发明省去了现有技术中借用工装实现电极固定的问题,免除了定位工装的使用,解决了现有技术方案存在的焊环放置工艺复杂以及电极固定易错位的问题,简化IGBT电极与覆铜基板的焊接工艺,提高了焊接质量,节约了实施成本。

主权项:1.一种IGBT电极结构,包括焊接部1,与所述焊接部1垂直设置的引出部2,用于连接所述焊接部1和引出部2的连接部3,其特征在于,所述焊接部1包括一体成型的引脚底部1-1、引脚中部1-2和引脚顶部1-3;所述引脚底部1-1与所述连接部3之间存在第一折弯,所述引脚中部1-2与引脚底部1-1之间存在第二折弯,所述引脚中部1-2与引脚顶部1-3之间存在第三折弯,通过三次折弯使所述引脚中部1-2与所述连接部3之间形成一焊片放置区4,所述引脚中部1-2的外壁还设置有防脱离的第一锁紧部。

全文数据:

权利要求:

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