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申请/专利权人：浙江朗德电子科技有限公司;上海交通大学

摘要：本申请涉及MEMS集成微制造的技术领域，尤其是涉及一种无掩膜磁通门传感器芯片集成制造方法，包括以下步骤：获取待处理衬底，并在待处理面获取底层凹槽阵列以及底层导电铜膜，以形成底层线圈；在底层线圈的两端留出导电通孔；采用3D打印以获取磁芯放置凹槽，并继续保留导电通孔；采用电化学沉积增材3D打印纯铜填满导电通孔以形成铜连接导体；采用3D打印形成顶层线圈的顶层凹槽阵列图形和顶层电极凹槽图形；采用电化学沉积增材3D打印纯铜以获取顶层铜膜，顶层铜膜填满顶层凹槽阵列，同时填满顶层电极凹槽形成铜电极，形成完整的无掩膜磁通门传感器芯片。本申请简化了制造工艺流程，缩短了制造周期，降低了芯片成本。

主权项：1.一种无掩膜磁通门传感器芯片集成制造方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1，获取待处理衬底（1），并在所述待处理衬底（1）的待处理面采用3D打印获取底层线圈（3）的底层凹槽阵列图形,后续操作步骤中的工艺均在所述待处理面上进行；步骤S2，在步骤S1形成的所述待处理衬底（1）上采用电化学沉积增材3D打印以获取底层导电铜膜，所述底层导电铜膜填满所述底层凹槽阵列，且所述底层导电铜膜与所述底层凹槽阵列上表面平齐，以形成所述底层线圈（3）；步骤S3，在步骤S2形成的所述底层线圈（3）上采用3D打印获取绝缘层，所述绝缘层完整覆盖所述底层线圈（3），并在所述底层线圈（3）的两端留出导电通孔（4），所述导电通孔（4）位于所述底层导电铜膜两端的上方，且所述导电通孔（4）上方未覆盖所述绝缘层；步骤S4，在步骤S3形成的所述待处理衬底（1）上采用3D打印以获取磁芯放置凹槽（5），并继续保留所述导电通孔（4），以及将预先制备的磁芯（6）放置在所述磁芯放置凹槽（5）的底部，在所述磁芯放置凹槽（5）内采用3D打印填充聚酰亚胺以覆盖所述磁芯（6），且所述填充聚酰亚胺与所述磁芯放置凹槽（5）上表面平齐；步骤S5，在步骤S4形成的所述待处理衬底（1）上采用电化学沉积增材3D打印纯铜填满所述导电通孔（4）以形成铜连接导体（7），所述铜连接导体（7）表面与所述磁芯放置凹槽（5）上表面平齐；步骤S6，在步骤S5形成的所述待处理衬底（1）上采用3D打印形成顶层线圈（8）的顶层凹槽阵列图形和顶层电极凹槽图形；步骤S7，在步骤S6形成的所述待处理衬底（1）上采用电化学沉积增材3D打印纯铜以获取激励线圈（9）和感应线圈（10）的顶层铜膜，所述顶层铜膜填满所述顶层凹槽阵列以形成通电导线，同时填满所述顶层电极凹槽形成铜电极（11），且所述顶层铜膜上表面与所述顶层凹槽阵列上表面平齐，形成完整的无掩膜磁通门传感器芯片。

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