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一种斐波那契序列电介质与石墨烯的复合结构 

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申请/专利权人:湖北科技学院

摘要:本发明提供了一种斐波那契序列电介质与石墨烯的复合结构,属于光电技术领域。本复合结构包括若干电介质层一、若干电介质层二和一个石墨烯层,复合结构由其一侧面至另一侧面的堆叠规律如下:电介质层二、电介质层一、电介质层二、电介质层二、电介质层一、电介质层二、电介质层一、电介质层二、电介质层二、电介质层一、电介质层二、电介质层二、电介质层一、石墨烯层、电介质层一、电介质层二、电介质层二、电介质层一、电介质层二、电介质层二、电介质层一、电介质层二、电介质层一、电介质层二、电介质层二、电介质层一、电介质层二;电介质层一的材料为MgF2晶体,电介质层二的材料为ZnS晶体。本发明具有提高缺陷模的反射率等优点。

主权项:1.一种斐波那契序列电介质与石墨烯的复合结构,其特征在于,本复合结构包括若干电介质层一、若干电介质层二和一个石墨烯层,所述复合结构是由电介质层一、电介质层二和石墨烯层三者堆叠而成的多层结构,所述复合结构由其一侧面至另一侧面的堆叠规律如下:电介质层二、电介质层一、电介质层二、电介质层二、电介质层一、电介质层二、电介质层一、电介质层二、电介质层二、电介质层一、电介质层二、电介质层二、电介质层一、石墨烯层、电介质层一、电介质层二、电介质层二、电介质层一、电介质层二、电介质层二、电介质层一、电介质层二、电介质层一、电介质层二、电介质层二、电介质层一、电介质层二;所述电介质层一的材料为MgF2晶体,所述电介质层二的材料为ZnS晶体;所述电介质层一的折射率为na=1.38,所述电介质层二的折射率为nb=2.35;所述电介质层一的厚度为的da=λ04na=27.17μm,所述电介质层二的厚度为的db=λ04nb=15.96μm,其中,λ0=150μm。

全文数据:

权利要求:

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