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硅碳复合负极材料及其制备方法 

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申请/专利权人:深圳索理德新材料科技有限公司

摘要:本发明提出一种硅碳复合负极材料及其制备方法,其中,制备方法的步骤包括:在真空环境中对泡沫铜进行预热,然后通入混合气体进行第一次沉积反应,其中,所述混合气体是由硼源气体、镁源气体,硅源气体、碳源气体混合而成;添加四氢呋喃以去除所述泡沫铜,得到多孔硅碳复合基体;将所述多孔硅碳复合基体转移至惰性气氛的反应釜中,通入硅烷气体进行第二次沉积反应,得到纳米硅‑多孔硅碳复合物;通入碳源气体,对所述纳米硅‑多孔硅碳复合物进行钝化反应,降温后制得所述硅碳复合负极材料。硅碳复合负极材料应用于锂离子电池,具有比容量高、膨胀低、循环好、高温存储好等优点,有效提升了电池的快充性能。

主权项:1.一种硅碳复合负极材料的制备方法,其特征在于,用于制备硅碳复合负极材料,所述制备方法的步骤包括:S1、在真空环境中对泡沫铜进行预热,然后通入混合气体进行第一次沉积反应,其中,所述混合气体是由硼源气体、镁源气体,硅源气体、碳源气体混合而成;S2、添加四氢呋喃以去除所述泡沫铜,得到多孔硅碳复合基体;S3、将所述多孔硅碳复合基体转移至惰性气氛的反应釜中,通入硅烷气体进行第二次沉积反应,得到纳米硅-多孔硅碳复合物;将所述多孔硅碳复合基体转移至惰性气氛的反应釜中的步骤包括:将所述多孔硅碳复合基体转移到反应釜中并进行雾化,其中,所述反应釜内通入惰性气体且所述反应釜具有气体和温度调节能力;将雾化后的所述多孔硅碳复合基体在所述反应釜中进行等离子激发;获取激发后的所述多孔硅碳复合基体的生成物特征光谱,并分析所述生成物特征光谱;在选定的波长范围内获取标准特征光谱;计算所述选定的波长范围内的光谱标准因子并绘制响应曲线,其中,所述光谱标准因子为所述标准特征光谱和标准光强度的比值,所述响应曲线为所述波长范围内每个波长与所述光谱标准因子的关系曲线;将所述生成物特征光谱代入所述响应曲线,以得到所述生成物特征光谱的分析结果;依据所述生成物特征光谱的分析结果调节所述反应釜的内部参数;若所述生成物特征光谱的分析结果中的铜离子浓度未处于预设铜离子浓度范围内,则控制所述反应釜的气体对流装置通入刻蚀气体,所述刻蚀气体用于与所述多孔硅碳复合基体中的铜离子进行反应,生成挥发性的铜化合物;当监控到的铜离子浓度处于预设铜离子浓度范围内,则停止输入所述刻蚀气体并通入惰性气体,以排出铜化合物气体和所述刻蚀气体;S4、通入碳源气体,对所述纳米硅-多孔硅碳复合物进行钝化反应,降温后制得所述硅碳复合负极材料。

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权利要求:

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