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申请/专利权人：杭州广立微电子股份有限公司
摘要：本申请涉及一种漏电测试结构的生成方法、装置和存储介质，该方法包括：获取版图，在版图的标准单元区域中确定目标区域；在目标区域中识别出衬底端口；根据预设的类型参数，从衬底端口中筛选出目标衬底端口；将目标衬底端口接出，生成至少一个漏电测试结构的体极；基于衬底端口分割目标区域，得到多个单元区域；在单元区域中识别有效栅极，从有效栅极中筛选得到目标栅极；识别出目标栅极对应的目标源极和目标漏极；将目标栅极、目标源极和目标漏极接出，并分别将同个单元区域中相同的电极并联，生成单元区域中的漏电测试结构的栅极、源极和漏极；选取漏电测试结构的电极，完成目标漏电测试结构的生成。根据该目标漏电测试结构对晶体管的任意电极之间漏电进行测试。
主权项：1.一种漏电测试结构的生成方法，其特征在于，所述方法包括：获取版图，在所述版图的标准单元区域中确定目标区域；在所述目标区域中识别出衬底端口；根据预设的类型参数，从所述衬底端口中筛选出目标衬底端口；将所述目标衬底端口接出，生成至少一个所述漏电测试结构的体极；基于所述衬底端口分割所述目标区域，得到多个单元区域；在所述单元区域中识别有效栅极，从所述有效栅极中筛选得到目标栅极；识别出所述目标栅极对应的目标源极和目标漏极；将所述目标栅极、目标源极和目标漏极接出，并分别将同个所述单元区域中相同的电极并联，生成所述单元区域中晶体管的漏电测试结构的栅极、源极和漏极；选取所述漏电测试结构的栅极、源极、漏极和体极，完成目标漏电测试结构的生成。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 杭州广立微电子股份有限公司 一种漏电测试结构的生成方法、装置和存储介质
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